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DDR内存选购目测方法

模式：原创　来源：OCER.net　内容：技术评测　责任编辑：赵磊　日期：2006-08-09

　　DDR内存在颗粒的制作上大都采用了66PIN的TSOP2封装。虽然TSOP2封装形式可以使内存很好的工作在200MHz以上。但频率更高，容量更大时，过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这就直接影响了内存的稳定和频率的提升。为了解决这个问题，有些厂商就开始试验其他的封装形式。

TSOP封装说明　　试验初期，有些厂商使用了裸晶封装（Bare Chip）。裸晶封装是CSP(Chip Scale Package)芯片级封装的一种。此种封装体积较小，金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了颗粒在长时间运行中的稳定性。同时，球状触点有效地缩短了信号的传导距离，有效减少了信号的衰减，芯片的抗干扰、抗噪性能以及运行频率随之得到显著提升。但由于制造成本较高，裸晶封装（Bare Chip）没有得到广泛普及。

早期试验的裸晶封装　　在去年，镁光开发出了采用使用了FBGA封装的MT-5B颗粒。此种颗粒的超频性能非常理想，就连单条1GB内存都可轻松达到DDR600的高频状态。但由于镁光的品牌战略，FBGA封装的MT-5B颗粒仅供其自有高端品牌Crucial使用，没有投放中国市场。

接近DDR2的FBGA封装

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第2页内存的核心??颗粒

第3页颗粒封装的进化
第4页内存的骨架??PCB

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