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CPU及片上北桥供电采用4+1相设计，R35规格电感、一进两出的MosFET和日化的固态电容另供电扎实稳定。虽谈不上豪华阵容，但也足够镇守AMD全系列处理器的OC稳定性。关键是，供电区域的MOS均覆盖有HeatSink，甚至连片上北桥的也没有放过，我们又看到了nF4时代经典的MOS散热片，只是颜色发生了变化而已。
内存供电区域相对平庸，没有什么突出的特点，也没有奢华的原件阵容。但说实话，虽然AMD平台内存控制器相比Core i5/i7更加皮实耐操，我们还是不推荐搭配高压DDR3使用。Samsung HCF0、Elpida系列都能在标准电压下达成理想频率，镁光的D9GTS/GTR或D9JNM则相对食电量偏高，不适合HTPC平台狭小的机箱空间内使用。温度、电压、频率过高都是影响内存寿命的因素，应该没多少玩家会在这片主板上超到1600 7-7-7-21使用吧，虽然主板可以做到。
 
再来看整个散热系统，前文提到的片上北桥MOS散热片是焊在主机板上无法取下的，因此我们只能观赏南北桥及CPU供电散热片，确实比“前作”JR系列更加理想，虽然舍弃了热管去贯穿北桥与MOS。
不知是评测样品个体现象还是有设计上的瑕疵，MOS散热片背部的导热层并未很好的接触到每一颗场效应管，从并不平均的压痕可以断定其扣具力度或角度存在问题。
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